Varkë SiC me Pastërti të Lartë

Varka e karbidit të silicit (SiC) me pastërti të lartë është një bartës qeramik me performancë të lartë i projektuar për procese gjysmëpërçuese në temperaturë të lartë, rritje kristalesh dhe trajtim termik preciz. Është sinterizuar me material SiC me pastërti ultra të lartë dhe ka rezistencë të shkëlqyer ndaj temperaturave të larta, rezistencë ndaj goditjeve termike dhe stabilitet kimik. Përdoret gjerësisht në difuzionin gjysmëpërçues, CVD, epitaksi LED dhe rritjen e kristaleve të vetme fotovoltaike.

Aplikacion:

Varka SiC me Pastërti të Lartë është një material i konsumueshëm kyç për procesin e gjysmëpërçuesve, i përdorur kryesisht për të transportuar dhe transferuar pllaka silikoni në mjedise me temperaturë të lartë, dhe përdoret gjerësisht në difuzionin, oksidimin, pjekjen dhe proceset CVD të pllakave të silikonit. Është veçanërisht i përshtatshëm për proceset me temperaturë të lartë të gjysmëpërçuesve të gjeneratës së tretë (si SiC/GaN) dhe pajisjeve të energjisë.

Shërbimet që mund të ofrohen:

analiza e skenarit të aplikacionit të klientit, përputhja e materialeve, zgjidhja e problemeve teknike.

Profili i kompanisë:

Semixlab ka 2 laboratorë, një ekip ekspertësh me 20 vjet përvojë në materiale, me aftësi kërkimore-zhvillimi dhe prodhimi, testimi dhe verifikimi.

Parametrat teknike

Fushat kryesore të aplikimit

Miratimi i verifikimit të zinxhirit ekologjik

Verifikimi i zinxhirit ekologjik të anijes Semixlab High-Purity SiC mbulon lëndët e para deri në prodhim, ka kaluar certifikimin ndërkombëtar të standardeve dhe ka një numër teknologjish të patentuara për të siguruar besueshmërinë dhe qëndrueshmërinë e saj në fushat e gjysmëpërçuesve dhe të energjisë së re.

Procesi tipik i aplikimit

Përgatitja e lëndës së parë (Pluhur SiC me pastërti të lartë) → Procesi i formimit (Presim i thatë/Presim izostatik) → Procesi i sinterimit → Përpunimi mekanik dhe përfundimi i sipërfaqes (Bluarje/Lustrim CNC, Gdhendje kimike, Pjekje) → Pastrimi dhe veshja CVD → Kontrolli i cilësisë → Paketimi

Përmes optimizimit të parametrave të procesit të përparuar, dizajni unik strukturor i anijes Semixlab High-Purity SiC siguron stabilitet të shkëlqyer të pllakave, duke ulur ndjeshëm rrezikun e ndotjes nga grimcat. Jeta e saj e shërbimit mund të arrijë 5-8 herë më shumë se ajo e anijeve tradicionale të kuarcit, duke e bërë atë një zgjidhje ideale për përpunimin e pllakave në temperaturë të lartë. Ky inovacion i mundëson asaj të zëvendësojë gradualisht importet në tregun e gjysmëpërçuesve, duke ofruar një zgjidhje vendase me performancë të lartë dhe me kosto efektive.

Për specifikime teknike të detajuara, dokumente zyrtare ose rregullime testimi mostrash, ju lutemi kontaktoni Ekipin tonë të Ndihmës Teknike për të eksploruar se si Semixlab mund të përmirësojë efikasitetin e procesit tuaj.

Avantazhet e bërthamës së anijes SiC me pastërti të lartë Semixlab

1. Pastërti ekstreme (avantazh kryesor)

Varka SiC me Pastërti të Lartë Semixlab ka pastërti ultra të lartë (≥99.9999%), dhe përmbajtja e papastërtive (Fe, Al, Na, etj.) kontrollohet në nivelin 1 ppm për të shmangur kontaminimin e pllakave ose materialeve epitaksiale, gjë që është veçanërisht e përshtatshme për prodhimin e gjysmëpërçuesve SiC/GaN.

2. Inerti kimik (rezistenca ndaj korrozionit)

Rezistent ndaj erozionit acid, alkali/plazme dhe mund t'i rezistojë gazrave gërryes si HF, HCl, H2 (siç janë proceset e gdhendjes gjysmëpërçuese). Nuk çliron gaz në temperatura të larta.

3. Rezistenca mekanike dhe jetëgjatësia

Fortësi ultra e lartë, rezistencë e shkëlqyer ndaj konsumimit, zvogëlon rrezikun e derdhjes së grimcave dhe zgjat jetëgjatësinë e shërbimit (zakonisht 3 deri në 5 herë më të lartë se një varkë kuarci). Nuk deformohet lehtë në temperatura të larta, duke ruajtur rrafshësinë e pllakës (si p.sh. deformimi në një furrë difuzioni <0.1 mm).

4. Pajtueshmëria e procesit

I përshtatshëm për një sërë mjedisesh të ashpra, atmosfera oksidimi/reduktimi (si O2, H2, Ar) dhe procese veshjeje CVD/PVD. Sipërfaqja mund të personalizohet, si p.sh. lustrim (Ra<0.1μm) ose veshje (si SiO2) për të zvogëluar më tej ndotjen.