Bartës i ngurtë SiC

Transportuesi i ngurtë i SiC i Semixlab përdor SiC me kristal të vetëm me pastërti të lartë si substrat dhe formon një shtresë mbrojtëse kompozite SiC-C në shkallë nano në sipërfaqe përmes një procesi veshjeje të patentuar, i cili rindërton kufirin e performancës së materialit transportues në nivel molekular. Performanca e tij e shkëlqyer rrjedh nga struktura unike kristalore e SiC dhe karakteristikat e lidhjes kovalente.

Pronat materiale

● Stabilitet termik dhe rezistencë ndaj temperaturës jashtëzakonisht e lartë: SiC shfaq stabilitet të shkëlqyer në temperatura të larta dhe mund të funksionojë në mënyrë të qëndrueshme në një mjedis oksidues deri në 1600°C, dhe temperatura e tij e sublimimit mund të arrijë edhe rreth 2700°C. Kjo i bën bartësit e SiC një zgjedhje ideale për rritjen epitaksiale në temperaturë të lartë, pjekjen dhe procese të tjera, duke tejkaluar shumë tolerancën e materialeve tradicionale.

● Përçueshmëri termike e shkëlqyer: Përçueshmëria termike e SiC në temperaturë ambienti është deri në 120 W/m·K, që është 3 herë më e lartë se ajo e silicit (Si). Përçueshmëria e lartë termike siguron që pllaka në bartës të mund të marrë shpërndarje uniforme të temperaturës në proceset me temperaturë të lartë, duke siguruar kështu uniformitetin e cilësisë së rritjes së shtresës epitaksiale dhe duke zvogëluar deformimin dhe stresin.

● Rezistencë dhe fortësi mekanike e shkëlqyer: SiC ka fortësi jashtëzakonisht të lartë (fortësia Mohs 9.0-9.5, fortësia Vickers 32 GPa), e dyta vetëm pas diamantit, si dhe modul të lartë të Young-ut (440 GPa) dhe rezistencë të lartë në përkulje (490 MPa). Kjo e bën bartësin SiC jashtëzakonisht rezistent ndaj konsumimit dhe deformimit gjatë ndikimit mekanik dhe trajtimit me intensitet të lartë, duke zgjatur në mënyrë efektive jetëgjatësinë e tij të shërbimit.

Pse të zgjidhni transportuesin Solid SiC të Semixlab?

● Kapacitete kërkim-zhvillimi dhe prodhimi: Semixlab ka 2 qendra kërkim-zhvillimi, 2 baza prodhimi, 12 linja prodhimi, më shumë se 150 punonjës dhe investimet në kërkim-zhvillim përbëjnë më shumë se 30%. Ka aftësinë të prodhojë dhjetëra mijëra produkte SiC çdo vit.

● Përparësitë teknike: Zhvillim i pavarur i pajisjeve dhe formulave CVD, mbështetje për veshje CVDSiC, TaC dhe veshje të tjera me pastërti të lartë, si dhe materiale të ngurta SiC, kontrolli preciz i CNC mund të arrijë 3μm, përmbajtja e hirit është më pak se 5ppm dhe performanca e produktit është lider në industri.

● Sistem i plotë furnizimi: Semixlab ka një linjë të pavarur sinteze të materialeve të karbitit të silikonit dhe një platformë përpunimi CNC precize, e cila mund të ofrojë madhësi Ø4" ~ Ø12" dhe madhësi të personalizuara, të mbështesë shpërndarjen e shpejtë dhe të përshtatet me markat kryesore të pajisjeve si Veeco, AIXTRON dhe Applied Materials.

● Personalizim dhe shërbim me një ndalesë: Sipas nevojave të klientit, ne mund të ofrojmë shërbime të plota procesi, nga përzgjedhja e materialeve, kërkim-zhvillimi, pilotimi deri te prodhimi masiv për të përmbushur nevojat e ndryshme të prodhimit të gjysmëpërçuesve të nivelit të lartë.

● Tregu ndërkombëtar dhe baza e klientëve: Semixlab ka krijuar bashkëpunim afatgjatë me më shumë se 30 klientë të prodhimit të pllakave të pllakës dhe gjysmëpërçuesve të përbërë në vend dhe jashtë vendit, duke përfshirë prodhuesit e Mini LED, pajisjeve të fuqisë SiC, MEMS dhe pajisjeve RF.

Transportuesi i ngurtë SiC është bërë një material kyç i konsumueshëm në fushat e epitaksise gjysmëpërçuese, paketimit, pajisjeve të energjisë, etj., me vetitë e tij të shkëlqyera të materialeve dhe performancën e procesit. Semixlab është një partner i besueshëm që ofron zgjidhje transportuesish SiC me cilësi të lartë dhe efikase për klientët globalë me aftësitë e tij të forta në kërkim-zhvillim, prodhim dhe personalizim.

Përdorime specifike në prodhimin e gjysmëpërçuesve

Performanca e shkëlqyer e Solid SiC Carrier e bën atë të luajë një rol të domosdoshëm në një sërë procesesh kryesore të prodhimit të gjysmëpërçuesve, veçanërisht i përshtatshëm për lidhje me kërkesa jashtëzakonisht të larta për temperaturë, pastërti, uniformitet dhe stabilitet mekanik. Skenarët e zakonshëm të aplikimit janë si më poshtë:

1. Epitaksi

Epitaksia e MOCVD: Bartësi i SiC është komponenti kryesor i rritjes së filmave të GaN, GaAs, SiC dhe filmave të tjerë gjysmëpërçues të përbërë në pajisjet MOCVD, siç janë bartësit susceptorë në formë fuçie dhe susceptorë në formë pankeku. Përçueshmëria e tij e lartë termike siguron uniformitetin e temperaturës në dhomën e reagimit, e cila është thelbësore për uniformitetin e trashësisë së filmit, përbërjes dhe dopingut; pastërtia e tij e lartë dhe inercia kimike shmangin në mënyrë efektive ndotjen nga papastërtitë dhe sigurojnë vetitë elektrike dhe optike të shtresës epitaksiale, veçanërisht në prodhimin e LED-ve, elektronikës së fuqisë dhe pajisjeve të frekuencës radio.

Epitaksi SiC: Në prodhimin e pajisjeve të energjisë SiC, bartësit SiC janë platforma ideale për rritjen epitaksiale të pllakave SiC. Koeficienti i zgjerimit termik që përputhet në mënyrë të përkryer me atë të pllakave SiC zvogëlon në mënyrë efektive stresin e shkaktuar nga ndryshimet e temperaturës gjatë procesit të epitaksisë, duke zvogëluar kështu shkallën e defekteve dhe duke përmirësuar cilësinë e shtresës epitaksiale.

Epitaksi me bazë silikoni: Në proceset e avancuara të silikonit, bartësit e SiC mund të përdoren gjithashtu në procese të caktuara të epitaksi silikoni që kërkojnë kërkesa më të larta për uniformitet dhe pastërti të temperaturës.

2. Pjekja

Pjekja me aktivizim në temperaturë të lartë: Pas implantimit të joneve, bartësit SiC përdoren në proceset e pjekjes në temperaturë të lartë për silikonin ose pllakat SiC për të aktivizuar dopantët e implantuar dhe për të riparuar dëmtimin e rrjetës. Stabiliteti në temperaturë të lartë dhe aftësia uniforme e ngrohjes së bartësve SiC sigurojnë efikasitetin e procesit të pjekjes dhe integritetin e pllakave.

Bartësit RTP (kalitje termike e shpejtë): Në pajisjet e kalitjes termike të shpejtë, bartësit SiC mund t'i rezistojnë cikleve të ashpra termike të ngrohjes dhe ftohjes së shpejtë dhe të ruajnë stabilitetin strukturor, i cili është i përshtatshëm për procese të avancuara siç është kalitja e menjëhershme.

3. Implantimi i joneve

Mbajtëset e dopaminimit dhe riparimit: Mbajtëset e SiC përdoren për të fiksuar pllakat gjatë implantimit jonik. Rezistenca e tyre e lartë mekanike dhe rezistenca ndaj konsumimit sigurojnë stabilitet nën bombardimin me rreze jonike. Në të njëjtën kohë, karakteristikat e tyre të gjenerimit të ulët të grimcave zvogëlojnë gjithashtu ndotjen gjatë procesit të implantimit.

4. Zbatime të tjera

Procesi i gdhendjes: Në disa procese gdhendjeje ICP (plazma e çiftuar induktivisht) ose PSS (substrat safiri me model), bartësit SiC përdoren si pajisje ose substrate fiksuese të pllakave për shkak të rezistencës së tyre ndaj korrozionit të plazmës dhe karakteristikave të ulëta të grimcave.

Tuba/varka furre me pastërti të lartë: Në disa furra difuzioni ose oksidimi me pastërti të lartë, materialet SiC shndërrohen gjithashtu në tuba furre ose varka në formë napolitane për të siguruar një mjedis procesi jashtëzakonisht të pastër.