Spresor grafiti i veshur me SiC MOCVD

1. Jetëgjatësia zgjatet me 300%+

Teknologjia e shtresës tampon mundëson që numri i cikleve të shokut termik të jetë më i madh se 5,000 herë (më pak se 1,500 herë për produktet konvencionale).

Temperatura e funksionimit të vazhdueshëm mund të arrijë 1650°C, dhe veshja nuk tregon çarje ose zhveshje.

2. Garanci zero ndotjeje

Pastërtia e veshjes SiC është e gradës 6N (sasia totale e papastërtive metalike < 0.5 ppm).

Kaloi testin standard SEMI të lëshimit të grimcave (pastërtia e klasës 10).

3. Përmirësimi i uniformitetit të fushës termike

Diferenca e temperaturës në sipërfaqen e bazës është më pak se ±2°C (të dhënat e matura për specifikimin Φ300mm).

Mbështet ngrohjen e shpejtë (20°C/s) pa deformim termik.

4. Rezistencë e shkëlqyer korrozioni

Rezistent ndaj korrozionit nga gazra të tillë si H2, NH3 dhe TMAl, me një jetëgjatësi shërbimi mbi 18 muaj.

Shkalla e ndryshimit të vrazhdësisë së sipërfaqes është më pak se 5% (testuar pas 100 cikleve të procesit).

5. I pajtueshëm me modelet kryesore në mbarë botën

Mbështet personalizimin në diametra që variojnë nga 50 deri në 500 mm.

6. Optimizimi i kostos së ciklit të plotë të jetës

Cikli i mirëmbajtjes është zgjatur në tre herë më shumë se ai i produkteve të zakonshme.

Shkalla e rendimentit të napolitanëve epitaksialë është rritur me 2-3%.

Fuqia e kompanisë

Semixlab Technology Co., Ltd ka 2 qendra kërkim-zhvillimi, 2 baza prodhimi, 12 linja prodhimi, mbi 150 punonjës, dhe investimet në kërkim-zhvillim përbëjnë më shumë se 30%. Paraqitja e produkteve tona përdoret kryesisht në LED, qarqe të integruara IC, gjysmëpërçues të gjeneratës së tretë, fotovoltaikë dhe industri të tjera. Semixlab ka aftësi të forta kërkim-zhvillimi, prodhimi dhe testimi e verifikimi të integruar. Në të njëjtën kohë, ne jemi duke përmirësuar vazhdimisht teknologjinë dhe pajisjet tona me investime prej dhjetëra milionësh në vit.

Parametrat kryesorë të performancës

Parametrat e projektit

Materiali bazë është grafit i shtypur izostatik SGL

Trashësia e veshjes: 80-200μm (e personalizueshme)

Pastërtia e veshjes është ≥99.9999%

Dendësia: 1.85-1.90 g/cm³

Përçueshmëria termike: 125 W/m·K (RT)

Rezistenca në përkulje ≥45 MPa

Temperatura e funksionimit ≤1800°C (atmosferë inerte)

Sistemi i sigurimit të cilësisë

Gjurmueshmëria e procesit të plotë: Regjistrimi i plotë i të dhënave nga substrati i grafitit deri te procesi i veshjes.

Zbulim preciz: Analiza e veshjes SEM/EDS, zbulimi i rrjedhjeve me spektrometri masive të heliumit, testimi i shokut termik në temperaturë të lartë.

Vetitë fizike themelore të veshjes CVD SiC:

Skenarë aplikimi ose pajisje: Pajisje Aixtron Epi

Skenarët kryesorë të aplikacionit

● Prodhimi i çipave LED: rritje epitaksiale e LED-it GaN blu/të bardhë.

● Gjysmëpërçuesit e fuqisë: Pajisjet e fuqisë SiC/GaN (MOSFET, HEMT).

● Pajisjet me frekuencë radioje 5G: substrat çipi me frekuencë radioje mikrovalë me frekuencë të lartë.

● Diodë lazeri: VCSEL, proces epitaksial me lazer që lëshon skaje.

● Paketim i avancuar: Depozitimi i filmave të hollë gjysmëpërçues me precizion të lartë.

Përmbledhje e zinxhirit të industrisë së epitaksise së çipave gjysmëpërçues: